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　　双极性咸集物鲜有报道。然而，双极性咸集物正在互补金属氧化物半导体逻辑电道、发光场效应晶体管和咸集物太阳能电池等规模有首要的使用价钱。以是，起色新型的双极性咸集物资料是一个首要的探讨倾向。近来，环化靛蓝类资料正在有机场效应晶体管、咸集物太阳能电池和分子成像等规模有通常的使用前景。然而，

　　中科院化学所刘云圻院士课题组起色了一种通用的吸电子代替BAI的两步合成要领（Adv. Funct. Mater.2019, 29, 1804839）。该要领对分别的吸电子代替基（氟、氯AG九游会官方网站、溴、氰基、三氟甲基等）和分别的代替基处所都合用(图1)。基于这种要领，咱们合成了4个BAI的咸集物PBAI-V, P2FBAI-V, P2ClBAI-V和P4OBAI-V。这些咸集物都是双极性资料(图2)。此中，P2ClBAI-V的空穴和电子转移率区别为4.04和1.46cm2V-1s-1。这种通用的代替BAI的合成要领还可用于合成更众的新型BAI咸集物，将会极大地充分双极性半导体资料的品种。

　　探讨职员操纵北京同步辐射装配1W1A-漫散射实习站获取的二维掠入射X射线D-GIXRD)审核了BAI咸集物薄膜的结晶性。图3为BAI薄膜正在玻璃基底上180 °C退火后的GIXRD二维图。全豹的咸集物正在面内和面外倾向都存正在(h00)衍射峰，它们对应于咸集物烷基链的衍射峰。PBAI-V的面外(100)衍射峰浮现正在2θ = 4.64°处，对应于d-d层间隔绝为19.0 埃。P2FBAI-V, P2ClBAI-V和P4OBAI-V的d-d层间隔绝区别为20.4, 19.9和19.7 埃。咸集物的(010)衍射峰为其π–π堆集的衍射峰。(010)衍射峰存正在于面内和面外倾向，阐明咸集物薄膜采用的是edge-on和face-on的同化堆集形式。遵循(010)衍射峰，可能算计出PBAI-V, P2ClBAI-V和P4OBAI-V的π–π堆集隔绝区别为3.53, 3.54和3.52埃。这些隔绝为D–A咸集物最小的π–π堆集隔绝之一，将有利于载流子的分子间传输。留意到，PBAI-V和P2ClBAI-V的π–π堆集隔绝格外切近，阐明正在BAI咸集物中引入具有较大原子半径的氯原子后并没有导致平面性变差。比拟之下，P2FBAI-V的π–π堆集隔绝最大，抵达了3.68埃。分别于DPP或IID的咸集物，BAI的咸集物浮现了特有的(00l)峰，它是由咸集物主链反复单位的衍射造成的。除了P2FBAI-V，其他的BAI咸集物都有(001)和(002)峰。PBAI-V, P2ClBAI-V和P4OBAI-V的(001)峰对应的晶面间距区别为22.43, 22.60和22.37 埃。P2ClBAI-V的π–π堆集隔绝很小，为3.54埃，有利于获得较高的空穴和电子转移率。