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AG九游会官方网站光学缜密工程 石英上Al纳米阵列的制备及荧光巩固职能
发布时间:2024-07-24 20:20 来源:网络

                                          

                                        AG九游会官方网站光学缜密工程 石英上Al纳米阵列的制备及荧光巩固职能

                                          金属资料近年来涌现出很强的等离子体共振效应,Al纳米资料被以为是紫外波段中最有前景的等离子体资料之一。推敲解释,Al纳米粒子的局域外面等离子体共振的强度随入射光能量的添补而进步,使其具有优异的紫外汲取性情。其它,Al资料代价低廉且易于财产化,Al纳米布局的自然氧化层可行为荧光加强绝缘层避免荧光猝灭以及调度局域外面等离子体共振汲取峰的名望,正在紫外波段背光显示范畴涌现出特殊的价格。

                                          现有报道的周期性Al纳米阵列要紧以硅和金属资料为衬底来告终荧光和偏振调制。背光范畴通俗采用透后衬底,而石英衬底具有高透紫外光谱本能以及优异的化学安谧性,正在紫外透后石英衬底上安排与制备金属微纳布局就显得尤为紧急。半导体量子点因其量子产率高、安谧性好、波长可控等便宜,被通俗操纵于发光器件、光电显示等范畴。是以,或许借助紫外透后的Al纳米阵列布局告终量子点薄膜发光加强,就或许低浸器件中的损耗和提拔亮度,对背光显示范畴具有紧急价格。

                                          针对这一操纵需求,长春理工大学的王子恒等正在《光学 周到工程》(EI、Scopus,中文焦点期刊,《仪器仪外范畴高质地科技期刊分级目次》和《光学和光学工程范畴高质地科技期刊分级目次》“T1级”期刊)上公布了题为“石英上Al纳米阵列的制备及荧光加强本能”的封面著作。

                                          正在本文中,图1给出了制备Al纳米棒阵列的工艺流程Al纳米棒行使电子束正胶的曝光计划举行加工。常用于紫外透后光电器件的石英衬底导电性差,对待制备自身粘附性较低的Al纳米阵列布局更具有极大的工夫难度。采用以下格式能够告终正在导电性差的衬底上制备纳米阵列布局。

                                          电子束曝光历程包含以下举措:(1)导电管束:正在基底外面旋涂电子束正胶PMMA A4,原委90s前烘后举行金属磁控溅射浸积Cr,厚度为10nm;(2)曝光:电子束曝光,曝光剂量经优化后确定为1200μc/cm²,4-甲基-2-戊醇和异丙醇的比例为1∶3,显影工夫为120 s,异丙醇定影工夫为30 s,用氮气吹干后取出基底;(3)金属浸积:行使电子束蒸发浸积Al,厚度为40 nm;(4)剥离:通过丙酮浸泡,异丙醇和去离子水举行洗刷取得石英衬底上的Al纳米阵列。

                                          基于FDTD对Al纳米棒举行模仿,判辨其近场光学性情。安排了如图2所示的Al纳米棒模子。个中,长度为L=221 nm,宽度R=150 nm,横向间距H=238 nm,纵向间距T=268 nm以及H=3 nm的氧化层。正在外面模仿中,全豹资料的折射率成立都取自(Handbook of Palik)手册,光源成立为平面波,光源偏振宗旨为x轴宗旨,仿线 nm。

                                          曝光剂量对电子束光刻制备纳米布局的描述和尺寸影响较大,是以咱们举行了众组测试。图3为以1200 μc/cm²剂量下制备的模板举行金属Al浸积后取得的Al纳米阵列的SEM照片。为了闪现此加工工夫对Al纳米棒排布格式的有用把持,加工历程中将模板疆域成立为纳米棒取向相互笔直的四个区域。

                                          图4为Al纳米棒电场漫衍图及CdSe/ZnS量子点描述和光学性子外征。以波长为325 nm且偏振宗旨平行于衬底的平面波行为入射光,估量取得的电场(近场)漫衍如图4(a)所示。如图4(b)所示,CdSe/ZnS 量子点的直径为11±1 nm,而且其汲取光谱或许笼罩紫外光区(睹图4(c))。325 nm激起下,其荧光发射峰中央位于632 nm处(睹图4(d))。比拟石英衬底上无Al纳米阵列处CdSe/ZnS量子点和Al纳米阵列外面CdSe/ZnS量子点的发光光谱,能够觉察AG九游会官方网站,Al纳米阵列上的 CdSe/ZnS量子点荧光强度比石英衬底上CdSe/ZnS量子点荧光强度均匀约高1.7倍。说明了所制备的透后石英衬底上的Al纳米阵实可正在紫外激起下告终量子点资料的荧光加强。

                                          该推敲针对透后衬底上紫外共振金属纳米阵列制备的工夫需求,正在不导电石英衬底上,采用电子束曝光制备Al纳米阵列,并对其描述及本能举行推敲。胜利正在不导电衬底上取得众取向集成的、对量子点具有明显荧光加强后果的Al纳米阵列,为背光激起下量子点发光调控和偏振调制供应了一种新战略,正在紫外波段背光显示范畴发现出很好的操纵前景。

                                          王子恒,博士,现为长春理工大学“邦际纳米光子与生物光子结合推敲中央”成员。该中央为吉林省“纳米光子学与生物光子学”中心测验室及科技部纳米生物光子学邦际科技互助基地。2018年于长春理工大学光电音讯学院取得学士学位,2018考入长春理工大学物理学院凝结态物理专业,师从李金华教养。要紧从事纳米资料制备及光学性情方面的推敲。

                                          李金华,博士,教养,博士生导师,吉林省拔尖革新人才、吉林省春苗人才,现为长春理工大学“科技部纳米生物光子学邦际科技互助基地”、吉林省“纳米光子学与生物光子学中心测验室”担任人,物理学院副院长,物理学科凝结态物理宗旨领先人。2006年于中邦科学院长春色学周到死板与物理推敲所取得博士学位,要紧发展半导体纳米光电资料与器件等方面推敲。担当邦度级和省部级项目20余项,公布SCI检索论文40余篇。

                                          王子恒,李金华,楚学影,张烨.石英上Al纳米阵列的制备及荧光加强本能[J].光学周到工程,2023,31(14):2052-2059

                                          [2] 褚金奎,康维东,曾祥伟,等. 基于柔性纳米压印工艺制备中红外双层金属纳米光栅 [J]. 光学周到工程, 2017, 25(12):3034-3040.

                                          [3] 任升,刘丽炜,李金华,胡思怡,任玉,王玥,修景锐. 纳米标准下的局域场加强推敲希望 [J].中邦光学, 2018, 11(01): 31-46.

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